Anritsu提供三種不同的微帶彈性接觸墊。所有這些襯墊在溫度變化、沖擊或振動的情況下為連接提供保護。K110-1觸點適用于0.15mm跡寬微帶和共面波導,K110-2適用于0.41mm跡寬微帶,K110-3適用于0.41mm跡寬微帶。
Anaren的XMC0204F1-03G?是款輕巧、性能卓越的3dB混合耦合器,選用利于應用、利于生產制造的新式表面安裝封裝。XMC0204F1-03G致力于寬帶S波段雷達應用和2000MHz至4000MHz范圍之內可靠性高應用領域需求設計。
Aeroflex?能夠給各種各樣程序開發性能卓越、差異化MMIC解決方案,包括網絡通訊、雷達天線和電子戰,適用從DC到60GHz的工作頻段。
Qorvo的CMD231?是款寬帶射頻/微波砷化鎵MMIC驅動放大器,特別適合國防軍事、航空航天和通信工程,其中中小型和高線性度是設計的關鍵。在4GHz時,CMD231提供超過14.5dB的增益值,相對應的輸出1dB壓縮點為+13.5dBm。
AMCOM的AM34040030SF-2H?專門為通用型設計應用的寬帶砷化鎵功率放大器模塊。AM34040030SF-2H的輸出功率從34GHz到40GHz,一般提供1瓦(30dBm)的CW輸出功率和35dB的小信號增益值。
KRYTAR的1500110010?新型定向耦合器提供市面上應用最普遍的頻率覆蓋范圍。1500110010定向耦合器寬100GHz10帶寬維持平整dB耦合G市場的無線設計和大多數測試和檢測應用。
53056-005J?數據表示2個0.9mm SuperMini 9mil用1管腳連接器.85mm插孔(F)至0.9mm插頭(M)因為0.9mm SuperMini接口校準標準不兼容。
MACOM? GaN RF最新的功率放大器解決方案GaN on SiC和GaNon硅設計技術。MACOM的MACOMPURECARBIDE系列GaN on SiC功率放大器為最嚴苛的應用提供高性能和安全可靠性。
Qorvo的CMD170P4?是款射頻/微波GaAs MMIC驅動放大器,選用無鉛4x4mm塑膠表面貼裝(SMT)封裝。CMD170P4是繁雜通訊系統理想的選擇,其中超小型和高線性度是最基本的設計要求。
柔性波導是波器件和慣力線之間的光纖傳輸。柔性波導的內部呈波浪狀構造,柔軟性好,能夠承受繁雜的彎曲、拉伸和壓縮,因此廣泛用于微波設備與饋線之間相連接。
UMS的CHA3513?通過一個三步數字衰減器、一個三級四電平放大器和一個單極單通(SPST)開關組合而成。CHA3513專為國防科技應用而設計。芯片的側面是射頻和直流接地的。這有利于優化安裝過程。
Wolfspeed?的CG2H80045D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優異的性能指標;包含更高擊穿場強;更高飽和電子漂移速度和更高導熱系數。
Custom MMIC?的CMD169P4是款射頻/微波GaAs MMIC驅動放大器,選用無導線4x4mm塑料表面貼裝技術(SMT)封裝。CMD169P4特別適合超小型和高線性度是最為關鍵設計標準的復雜通訊系統。
AMCOM的AM30040031SF-3H?是種寬帶網絡砷化鎵功率放大器模塊。具備17dB的小信號增益值,在6V偏置下,在30–40GHz頻段中具備31dBm的輸出功率。
AMPHENOL?的PCB連接器銜接兩個板塊。它一般用來將主板連接上其它功能線路板上,但也可用于將主板連接上含有連接器的器件上。
Noisecom?的NC500(通孔)和NC500SM(表面安裝)系列噪聲器件是滿足內嵌測試需求的性價比高解決方案。它們包含完善的偏置電路,無需外部器件。
Qorvo的CMD184?是款4.5W寬帶GaN MMIC功率放大器芯片,輸出功率范圍包括0.5至20GHz。CMD184放大器提供超過13dB的增益值,對應的輸出1dB壓縮點為+34.5dBm,飽和輸出功率為+36.5dBm。
AMCOM的AM00020025MD-2H?是種寬帶功率放大器模塊,致力于通用型應用需求設計。AM00020025MD-2H的輸出功率從20MHz到20GHz,一般提供25dBm的CW輸出功率和25dB的小信號增益值。
THUNDERLINE-Z經驗帶來了讓人印象深刻的可伐和鋼鐵RF、DC電容饋線設計庫。THUNDERLINE-Z針尖的長度和直徑也各不相同。
CINCON?提供非隔離負載點(POL)DC/DC轉換器具備寬輸入電壓、輸出電壓性能、高效率和薄封裝。
Cypress?的PSoC?微控制器是基于世界上唯一的ARM ? Cortex ?-M基于性能高可編程模擬模塊的處理器PLD可編程數字模塊、可編程互連和路由CapSense?可編程嵌入式系統級芯片解決方案。
SemiGen?的8000和8100系列MIS電容器有很多種電容范圍和尺寸。它是由初級原材料制作而成,由氧化物/氮化層組合而成,提供低介電損耗和高隔離電壓。半根射頻微波芯片電容器產品僅以芯片形式提供。
API SAW Oscillators?可用芯片衰減器設計適用于在其它工作頻率、溫度與功率水平上平均減少信號功率。API SAW Oscillators可用芯片衰減器適合于功率放大電路、接收器、上/下轉換器、相位匹配陣列和交換網絡。
UMS的CHA5659-QXG?是款四級單片砷化鎵高功率放大器,可形成1瓦的輸出功率。CHA5659-QXG是高度線性的,具備潛在的增益控制,并集成化功率探測器。包括ESD保護。
Wolfspeed?的CG2H80030D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,氮化鎵具備優異的性能指標;包含相對較高的擊穿場強;
NEL Frequency Controls?的ULPNVCXO0629k壓控晶體振蕩器(VCXO)根據CMOS/LVCOS輸出提供高頻率。輸出可以選擇三態的,用作測試自動化或組合成多個時鐘。
在兩側供電系統網絡中,每一個電源點發出來的功率分為兩部分。第一部分由負載功率和網絡參數確定。每一個負載的功率按負載點與兩個電源點之間的阻抗共軛值成反比分配,可逐個計算。
ATM Microwave?生產制造極高功率、直角波導到同軸適配器,包含矩形波導的全工作頻段,具備多個法蘭盤選擇。
JDSU?的FiberChek Probe基于技術領先VIAVI光纖檢測專業技術基本建設為每位光纖技術人員提供了安全可靠的多功能手持式解決方案,來滿足現如今所有的光纖檢測的需求自動手持終端。
倍頻器通常由非線性電路組合而成,它能夠有效形成雙倍于增加到其輸入端的信號頻率的輸出。倍頻器優化了倍頻器鏈的設計構思,并且對基波和三次諧波提供優異的控制,從而顯著減少了濾波器要求。