EV12AS200 是 E2V 品牌高性能 12 位 1.5GSps 模數(shù)轉換器,在高速數(shù)據(jù)采集與處理領域優(yōu)勢突出。其差分輸出鏈路方面,采用 196-ball FPBGA 封裝,有特定 LVDS 數(shù)據(jù)輸出及就緒時鐘,片內自帶終端電阻,支持兩種數(shù)據(jù)模式,可插入同步字;
HMC986A 是 Analog Devices 推出的基于砷化鎵單片微波集成電路工藝的反射式單刀雙擲開關,專為滿足 0.1 GHz 至 50 GHz 超寬帶射頻/微波需求設計,具備高頻性能領先優(yōu)勢
將差分信號轉換為單端信號,核心是提取差模成分并抑制共模信號。設計時需關注共模抑制比、帶寬與增益、電源抑制比以及布局與接地。
DS875可替代 ADI 的 AD9914(1GSPS 采樣率、超快跳頻等,用于雷達等)、AD9958(雙通道、獨立控制,用于 MIMO 系統(tǒng)等)、AD9102(集成波形存儲器,用于醫(yī)療成像等),以及 TI 的 DAC38J84(集成數(shù)字上變頻,用于 5G 射頻單元等)、LMK04828(集成低噪聲 PLL,用于測試儀器等)。
EV12AS200A 的“采樣延遲微調”功能通過在 ADC 采樣時鐘路徑插入步進 24 fs 的可編程延遲線,將不同通道或芯片采樣沿對齊,降低時鐘分布歪斜、孔徑抖動、熱漂移等帶來的相位誤差。24 fs 步進對應 3 GHz 下約 0.5°相位誤差,能顯著提升相控陣等系統(tǒng)的相位精度。
減小 DAC 電路耦合影響對確保信號精度和穩(wěn)定性至關重要,可通過多方面系統(tǒng)解決:電源設計上,為模擬和數(shù)字部分提供獨立低噪聲電源,做好電源去耦與濾波;地線布局采用星形接地,多層 PCB 中分割地平面并合理跨接;
HMC321A 是 ADI 推出的寬帶非反射 GaAs MMIC SP8T 正控制射頻開關,頻率范圍 DC 至 8 GHz,具備高隔離度、低插入損耗等特性,有集成化 3-線 TTL 兼容解碼器等關鍵特性
DS855 是 EUVIS 公司推出的相位調制直接數(shù)字合成器,可用于雷達探測、通信網絡等高精密頻率合成場景,能替代 ADI 的 AD9851、AD9858、AD9914S-CSL 等芯片。
高速 DAC 輸出后端電路設計復雜且關鍵,關乎高速 DAC 信號精準還原與性能穩(wěn)定發(fā)揮,在現(xiàn)代通信、雷達等系統(tǒng)中影響重大。其設計要點包括用高速運放芯片將差分電流信號轉為單端電壓輸出、利用電阻和差分電路做電流 - 電壓轉換;
EV12AS350B 是高性能模數(shù)轉換器,應用于高速測試設備包括自動測試設備領域。它采用四個交疊 12 位 ADC 核,有 5.4GSPS 轉換速率,具備高采樣率、高分辨率和低雜散特性。
采集直流信號時,ADC 芯片采樣率選擇需綜合考慮精度、成本和系統(tǒng)需求,純直流信號理論上低采樣率(如 10Hz 至 100Hz)即可,但為保障穩(wěn)定性和準確性通常需更高采樣率,一般建議至少為信號最高頻率的 5 - 10 倍,多通道信號采集時還需考慮通道數(shù);
HMC347A-Die 是 ADI 生產的寬帶、非反射式 GaAs pHEMT SPDT MMIC 芯片,采用獨特 GaAs 工藝技術,適合 0.1 GHz 至 20 GHz 頻段,具有高隔離度、低插入損耗,基本參數(shù)包括特定頻率范圍的插入損耗、隔離度、輸入線性、功率處理效率、控制電壓和工作溫度范圍等
DS856-MA942C1 是 Euvis 公司生產的高性能直接數(shù)字頻率合成器,專為高精度頻率信號行業(yè)設計,性能卓越、分辨率高且功耗低,可替代 ADI 相關 DDS 芯片,適用于雷達、衛(wèi)星通訊、電子戰(zhàn)等多個高端領域。
高精度ADC芯片作為模擬與數(shù)字世界的橋梁,其數(shù)據(jù)采樣性能對信號處理質量與系統(tǒng)可靠性至關重要。在信號處理上,高分辨率與精度、高采樣速率及高信噪比提升了信號處理的準確性和清晰度;在系統(tǒng)可靠性方面,其穩(wěn)定性與一致性、強抗干擾性以及長期性安全可靠設計,保障了系統(tǒng)在不同條件下的穩(wěn)定運行,減少了故障風險。
EEPROM芯片通常不內置ADC,若某款內置1路14bit ADC,其精度主要受分辨率(理論精度高但實際受量化誤差等多種因素影響)、采樣率(采樣率越高理論上精度越高,但過高可能影響轉換時間,且采樣帶寬限制會影響精度)、使用通道數(shù)(單通道ADC精度主要取決于單個通道性能,無通道切換誤差)以及其他因素(如參考電壓穩(wěn)定性、溫度影響,參考電壓波動和溫度變化都會影響精度)影響 。
HMC576 是 Analog Devices 推出的高性能射頻芯片,應用于通訊基站、機載雷達等多個領域。其核心優(yōu)勢是寬頻帶覆蓋(2GHz 至 20GHz)、低噪聲系數(shù)(典型值 2.5dB)和高線性度,能提升系統(tǒng)性能。它還具備寬頻帶設計、低噪聲增強、高集成度、工業(yè)級可靠性等特性。目前現(xiàn)貨供應,提供技術方案支持、靈活采購選項和質量保障,典型應用于 5G 基站、相控陣雷達和測試儀器。
LD162D是EUVIS設計的5V差分TOSA驅動器,適配高速光纖通信標準,驅動能力出色,能精準驅動激光二極管保障光信號質量,具備差分輸出帶電阻、可變調制與偏置電流等特性,采用單一+5V電源,應用于光纖通信系統(tǒng)及光模塊,助力高速遠距離光信號傳輸與收發(fā)。
模數(shù)轉換器(ADC)設計與應用中,采樣率與信號頻率關系為核心性能影響因素,采樣率由外部時鐘或內部 PLL 提供,高速 ADC 多用 JESD204B 接口且數(shù)據(jù)速率可經抽取或內插調整;要遵循奈奎斯特準則,工程中采樣率常為信號帶寬 2.5 倍以上;合理頻率規(guī)劃可防諧波與采樣鏡像重疊;分辨率影響采樣率上限;帶寬由采樣保持電路 RC 特性決定;抽取、內插分別能降數(shù)據(jù)速率、提有效采樣率;實際應用中高頻應用看帶寬,傳感器信號采集看采樣率與信號帶寬關系,高速系統(tǒng)用相關接口和技術平衡性能與復雜度。
ADRF5021 是硅工藝通用型單極雙擲(SPDT)開關,采用 3mm×3mm、20 端子 LGA 封裝,在 9kHz - 30GHz 范圍高隔離低損耗,需雙電源電壓,兼容 CMOS/LVTTL 邏輯,具備超寬頻、高隔離度、低插入損耗等特性,ESD 靈敏性 1 級(1 kV HBM),適用于測試、微波無線通信、軍工通信等多領域。
?DS856是一款高性能直接數(shù)字頻率合成器(DDS),具備超寬頻率范圍、高分辨率和低功耗特性,專為雷達、通信、電子戰(zhàn)等高精度頻率信號應用場景設計.
EV12AD550B是一款高性能的宇航級S波段雙通道模數(shù)轉換器(ADC),專為需要高采樣率、高動態(tài)范圍和寬帶輸入的應用設計。EV12AD550B的設計目標是簡化宇航系統(tǒng)的復雜度并降低成本,同時提供高性能和高可靠性。
HMC547ALC3通用寬帶高隔離度非反射型GaAs pHEMT單刀雙擲(SPDT)開關,采用符合工業(yè)標準的3mm×3mm無引腳陶瓷表面貼裝封裝技術。HMC547ALC3工作頻段覆蓋直流(DC)至28.0 GHz,在全頻段范圍內可實現(xiàn)優(yōu)于40 dB的端口隔離度,同時保持插入損耗低于2 dB的優(yōu)異性能指標。
?DS852直接數(shù)字頻率合成器(DDS)與亞德諾半導體(ADI)的AD9858/AD9851在性能參數(shù)、應用場景、成本及供應鏈等方面的綜合比較,是決定是否進行替換的關鍵因素。
EUVIS的DS878 直接數(shù)字頻率合成器(DDS)和 ADI 的AD9914S-CSL 在性能、應用場景和特性上各有優(yōu)勢,DS878 直接數(shù)字頻率合成器(DDS)為什么能替換AD9914S-CSL?
DS855調相直接數(shù)字合成器(DDS)是一款基于先進直接數(shù)字合成技術的高性能頻率合成解決方案,它融合了尖端的數(shù)字信號處理技術,能夠產生高精度且高度穩(wěn)定的頻率信號。
EV12AQ605是Teledyne e2v推出的一款12位四通道模數(shù)轉換器(ADC),其高采樣率、低延遲、可編程性和廣泛的應用領域使其成為多個領域的理想選擇。
HMC547ALP3E是一款由Analog Devices (ADI) 提供的寬帶高隔離度非反射式 GaAs pHEMT SPDT(單刀雙擲)射頻開關,適用于從 DC 到 20 GHz 的寬頻段應用。
DS856是EUVIS公司推出的一款高性能高速直接數(shù)字合成器(DDS),集高頻率、高分辨率、低功耗等特性于一身,廣泛應用于雷達設計、衛(wèi)星通信、電子戰(zhàn)及無線基站等領域。
EV12AQ600是一款由 Teledyne E2V公司設計的高性能、多功能的四核模數(shù)轉換器,具有高精度、高速采樣、多通道靈活性、耐輻射和可靠性等特點。廣泛應用于通信、雷達、醫(yī)療成像、測試測量等領域。
?HMC784A是一款由ADI生產的高功率單刀雙擲(SPDT)射頻開關,適用于需要在高輸入信號功率下實現(xiàn)極低失真的發(fā)射-接收應用。