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MRF141G高功率高增益寬帶性能固態發射機和放大器 MACOM現貨

2018-07-10 15:57:56

MACOM現貨MRF141G專為頻率為175 MHz的寬帶商用和軍用應用而設計。該設備的高功率，高增益和寬帶性能對FM廣播或電視頻道頻段固態發射機和放大器特別有用。

NPTB00004A寬帶晶體管VHF / UHF / L波段雷達 MACOM現貨

2018-07-10 15:40:46

NPTB00004A GaN HEMT是一款針對DC-6 GHz工作進行了優化的VHF / UHF / L波段雷達?寬帶晶體管。該器件采用工業標準表面貼裝SOIC塑料封裝，設計用于CW，脈沖和線性工作，輸出功率為5W（37 dBm）。

NPA1008寬帶集成GaN功率放大器 MACOM現貨

2018-07-10 15:27:41

NPA1008是一款寬帶集成GaN功率放大器，針對20 - 2700 MHz工作進行了優化。該放大器設計用于飽和和線性工作，輸出電平為5 W（37 dBm），采用無鉛4 x 4 mm 24引腳QFN塑料封裝。NPA1008非常適用于測試和測量，國防通信，陸地移動無線電和無線基礎設施中的通用窄帶到寬帶應用。

NPTB00025B射頻功率晶體管 MACOM代理商現貨熱賣

2018-07-10 15:18:43

NPTB00025B射頻功率晶體管針對DC - 4000MHz的寬帶操作進行了優化，熱增強型工業標準封裝100％射頻測試，特點適用于高達32V的工作電壓

HMC344ALP3E/HMC344ALP3ETR寬帶單刀四擲(SP4T)開關 ADI現貨

2018-07-10 15:07:33

HMC344ALP3E是一款寬帶、非反射式、單刀四擲(SP4T)開關，采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造。該開關具有高隔離、低插入損耗和片內端接隔離端口。

HMC322ALP4E/HMC322ALP4ETR寬帶非反射SP8T開關 ADI現貨

2018-07-10 15:03:37

HMC322ALP4E是一款寬帶非反射GaAs MESFET SP8T開關，采用低成本無引腳表貼封裝。 該開關頻率范圍為DC至8 GHz，具有高隔離和低插入損耗。 該開關還集成了片內二進制解碼電路，將所需邏輯控制線減至三條

HMC252AQS24E/HMC252AQS24ETR低成本非反射SP6T開關 ADI現貨

2018-07-10 14:55:15

ADI現貨HMC252AQS24E是一款低成本非反射SP6T開關，采用24引腳QSOP封裝，寬帶工作頻率范圍為DC至3.0 GHz。 該開關提供單正偏置和真TTL/CMOS兼容性。

HMC244AG16密封非反射式SP4T開關 ADI現貨

2018-07-10 14:26:59

HMC244AG16是一款非反射式SP4T開關，采用16引腳玻璃/金屬（密封）封裝。 該開關頻率范圍為DC至4 GHz，3 GHz范圍內提供30至50 dB隔離和0.7 dB的低插入損耗。

HMC986A/HMC986A-SX寬帶單刀雙擲(SPDT)開關裸片 ADI現貨

2018-07-10 14:06:28

ADI現貨HMC986A是一款寬帶GaAs pHEMT MMIC單刀雙擲(SPDT)開關裸片。這款緊湊型開關采用反射式拓撲結構，通過兩個互補輸入（0/-3V至0/-5V）控制。輸入信號為40 GHz時，該器件具有19 dB回損、34 dB隔離，以及僅2.1 dB的插入損耗。

HMC547ALC3/HMC547ALC3TR通用型寬帶高隔離SPDT開關 ADI現貨

2018-07-10 13:58:18

ADI現貨HMC547ALC3是一款通用型寬帶高隔離非反射GaAs MESFET SPDT開關，采用3x3 mm無引腳陶瓷表貼封裝。該開關頻率范圍為DC至28.0 GHz，在中頻段時具有高于40 dB的隔離度和小于2 dB的插入損耗。

HMC427ALP3E/HMC427ALP3ETR低損耗寬帶正控制轉換開關 ADI現貨

2018-07-10 13:48:46

ADI現貨HMC427ALP3E是一款低損耗寬帶正控制轉換開關，采用無引腳表貼封裝。 該開關頻率范圍為DC至8 GHz，具有高隔離和低插入損耗。 該開關采用0/+5V正控制電壓工作，所需固定偏置為+5V (< 20 μA)。

HMC347A/HMC347A-SX寬帶非反射式MMIC芯片 ADI現貨代理

2018-07-10 13:41:03

ADI現貨的HMC347A是一款寬帶非反射式GaAs pHEMT SPDT MMIC芯片。該開關頻率范圍為DC至20 GHz，具有高隔離和低插入損耗。由于采用了片內通孔結構，該開關在較低頻率下具有超過52 dB的隔離度，在較高頻率下具有超過40 dB的隔離度。

HMC321ALP4E/HMC321ALP4ETR寬帶非反射GaAs SP8T開關 ADI現貨

2018-07-09 16:11:37

HMC321ALP4E是一款寬帶非反射GaAs SP8T開關，采用低成本無引腳表貼封裝。該開關頻率范圍為DC至8 GHz，具有高隔離和低插入損耗。該開關還集成了板載二進制解碼電路，將所需邏輯控制線減至三條。

HMC612LP4E/HMC612LP4ETR寬輸入帶寬對數檢波器/控制器 ADI現貨

2018-07-09 16:06:59

HMC612LP4(E)對數檢波器/控制器適合用來將頻率范圍為50 Hz至3 GHz的輸入信號轉換為輸出端成比例的直流電壓。 HMC612LP4(E)采用連續壓縮技術，在寬輸入頻率范圍內具有極高的動態范圍和轉換精度。

HMC611LP4/HMC611LP4E功率監控對數檢波器 ADI代理現貨

2018-07-09 13:57:07

HMC611LP4(E)對數檢波器/控制器將輸入端的RF信號轉換為輸出端成正比的DC電壓。HMC611LP4(E)利用連續壓縮拓撲結構，提供寬輸入頻率范圍內的極高動態范圍和轉換精度。隨著輸入功率增加，連續放大器逐漸進入飽和，從而生成精確的對數函數近似值。

HMC713LP3ETR/HMC713LP3E對數檢波器/控制器 ADI現貨

2018-07-09 12:01:46

HMC713LP3E對數檢波器/控制器非常適合將RF信號（50 MHz至8000 MHz頻率范圍內）的功率在輸出端轉換為與輸入功率成正比的直流電壓。 HMC713LP3E采用連續壓縮技術，可在寬輸入頻率范圍內提供具有高測量精度的54 dB動態范圍。

HMC1021LP4E/HMC1021LP4ETR集成高帶寬包絡檢波器的RMS功率檢波器 ADI現貨

2018-07-09 11:52:03

HMC1021LP4E是一款集成高帶寬包絡檢波器的RMS功率檢波器。RMS輸出為溫度補償式、單調、線性dB表示的RF實信號功率，采用70 dB的輸入檢測范圍測量。

HMC1020LP4E/HMC1020LP4ETR寬帶功率檢波器 ADI現貨

2018-07-09 11:48:25

HMC1020LP4E功率檢波器設計用于RF功率測量和頻率高達3.9 GHz.的控制應用。 該檢波器提供精確的任何寬帶、單端RF/IF輸入信號均方根表示。 輸出為溫度補償式、單調表示實信號功率，采用72 dB的輸入檢測范圍測量。

HMC500LP3E/HMC500LP3ETR無線基礎設施矢量調制器 ADI現貨

2018-07-09 11:28:03

HMC500LP3(E)是一款高動態范圍的矢量調制器RFIC，用于RF預失真和前饋消除電路，以及RF消除和波束成形幅度/相位校正電路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口，持續改變RF信號的相位和幅度

HMC6300BG46毫米波發射器集成電路頻率57 GHz至64 GHz ADI現貨

2018-07-09 11:14:33

HMC6300BG46是一款完整的毫米波發射器集成電路，采用符合RoHS標準的6 mm x 4 mm晶圓級球柵陣列(WLBGA)封裝，工作頻率范圍為57 GHz至64 GHz，調制帶寬高達1.8 GHz。

HMC630LP3E/HMC630LP3ETR高動態范圍矢量調制器RFIC ADI現貨代理商

2018-07-09 10:55:44

HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動態范圍矢量調制器RFIC，可用于RF預失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用來連續改變RF信號的相位和幅度

NPT1012B氮化鎵28V 25W射頻功率晶體管 MACOM現貨

2018-07-09 10:47:46

NPT1012B氮化鎵28V 25W射頻功率晶體管， 針對DC-4000MHz的寬帶操作進行了優化，14 - 28V的高效率，對于負載牽引數據和非線性模型，若您有任何疑問，請聯系我們立維創展，我們會盡最大努力為您服務。 ?

NPT2021國防應用寬帶晶體管L波段雷達 MACOM代理商現貨熱銷

2018-07-09 10:35:31

NPT2021 GaN HEMT是一款寬帶晶體管，針對DC-2.5 GHz工作進行了優化。該器件支持CW，脈沖和線性工作，輸出功率為45 W，采用工業標準塑料封裝，帶螺栓法蘭。

NPT2010 航空航天脈沖和線性寬帶晶體管 MACOM現貨

2018-07-09 10:26:06

NPT2010 GaN HEMT是一款針對DC-2.2 GHz工作優化的寬帶晶體管。該器件設計用于連續波，脈沖和線性工作，輸出功率為100W（50 dBm），采用工業標準金屬陶瓷封裝，帶螺栓法蘭。

NPT1010B氮化鎵氮氣28伏100W射頻功率晶體 MACOM現貨

2018-07-09 10:11:02

NPT1010B氮化鎵氮氣28伏，100W射頻功率晶體管使用SigaNIC?NFR1工藝建造-專有的氮化鎵硅技術不推薦用于新的應用。 若您有任何疑問，請聯系我們立維創展，我們會盡最大努力為您服務。?

NPT25100射頻功率晶體管90W P3dB連續波功率 MACOM現貨

2018-07-09 09:42:42

NPT25100射頻功率晶體管90W P3dB連續波功率，優勢和特點有CW、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE等2100～-2500兆赫其他應用的優化，高可靠性金金屬化工藝，熱增強工業標準封裝，100%射頻測試等

NPT2022寬帶晶體管HF/UHF/L/S波段雷達 MACOM現貨代理商

2018-07-09 09:28:38

NPT2022 GaN HEMT是一種寬帶晶體管，針對DC-2 GHz工作進行了優化。該器件支持CW，脈沖和線性工作，輸出功率為100 W（50 dBm），采用行業標準塑料封裝。NPT2022非常適用于國防通信，陸地移動無線電，航空電子設備，無線基礎設施，ISM應用和VHF / UHF / L / S波段雷達。

NPA1003QA寬帶功率放大器 VHF/UHF/L波段雷達 MACOM現貨

2018-07-09 09:18:19

NPA1003QA是一款寬帶，內部匹配的GaN MMIC功率放大器，針對20-1500 MHz工作進行了優化。該器件設計用于CW，脈沖和線性工作，輸出功率超過5W（37 dBm），采用工業標準表面貼裝QFN4X4-16塑料封裝。

MAGX-011086高寬帶晶體管頻率DC-6 GHz MACOM代理商現貨

2018-07-09 09:10:27

MAGx-011086 GaN HEMT是一款寬帶晶體管，針對DC-6 GHz工作進行了優化，采用用戶友好型封裝，是高帶寬應用的理想選擇。該器件設計用于CW，脈沖和線性工作，輸出功率為5W（37 dBm），采用工業標準，低電感，表面貼裝QFN4X4-24塑料封裝。

HMC649ALP6E/HMC649ALP6ETR軍用6位數字移相器芯片 ADI現貨

2018-07-06 17:16:17

components.HMC649A是一款6位數字移相器芯片，額定頻率范圍為3 GHz至6 GHz，提供360度相位覆蓋，LSB為5.625度。 HMC649A在所有相態具有3度的低RMS相位誤差及±0.5 dB的極低插入損耗變化。