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DS856-高速3GHz直接數(shù)字頻率合成器

2018-09-10 14:44:09

DS856是一種高速直接數(shù)字合成器（DDS），頻率調(diào)諧分辨率為32位，ROM相位分辨率為13位，DAC幅度分辨率為11位。第一奈奎斯特帶中的正弦波可以產(chǎn)生到接近1.6 GHz（在3.2-GHz時鐘速率）。

DS852——高速2.2 GHz直接數(shù)字頻率合成器

2018-09-10 14:37:52

DS852是一種高速直接數(shù)字合成器（DDS），頻率調(diào)諧分辨率為32位，幅度分辨率為11位。第一奈奎斯特帶中的正弦波可以產(chǎn)生到接近1.1 GHz（在2.2-GHz時鐘速率）。初始階段可以重置為零度開始。該芯片有一對互補輸出50Ω后端。

DS707——高速啁啾直接數(shù)字頻率合成器

2018-09-10 14:30:12

DS877是一種高速直接數(shù)字合成器（DDS），頻率調(diào)諧分辨率為32位，ROM相位分辨率為13位，DAC幅度分辨率為11位。DAC的模擬輸出可以在正常保持模式(對于第一奈奎斯特頻帶)和歸零模式(對于第一、第二和第三奈奎斯特頻帶)操作之間選擇。

DS88高速啁啾直接數(shù)字頻率合成器

2018-09-10 14:26:13

DS878是一種高速直接數(shù)字合成器（DDS），頻率調(diào)諧分辨率為32位，ROM相位分辨率為13位，DAC幅度分辨率為11位。DAC的模擬輸出可以在正常保持模式(對于第一奈奎斯特頻帶)和歸零模式(對于第一、第二和第三奈奎斯特頻帶)操作之間選擇。

超寬帶高功率高效率的GaN放大器

2018-09-06 15:30:42

我們報告了一種超寬帶高功率高效率的GaN放大器。運行從100MHz到3000兆赫。最好的結(jié)果包括100W的輸出功率，22dB增益，40%的功率增加效率從100MHz到3000兆赫。這個性能是通過裁剪兩個設(shè)備來實現(xiàn)的。阻抗與獨特的寬帶電路匹配拓撲結(jié)構(gòu)。二者詳細設(shè)計技術(shù)將給出器件和匹配電路。

40-4000MHz寬帶高功率GaN MMIC功率放大器

2018-09-06 15:21:17

我們報告了一個高性能的GaN MMIC功率放大器工作在40MHz到400MHz之間。這個實現(xiàn)80W脈沖（100US脈沖寬度和10%占空比）MMIC循環(huán)）輸出功率（P5dB），40MHz，50W效率為54%大約30%的效率在大部分的中間波段，以及在400MHz時，效率逐漸降低到30W，效率為22%。

使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯(lián)晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

2018-09-06 15:19:40

GaN HEMT具有高輸出功率密度和寬帶寬下的高效率。但是GaN HEMT的線性度通常比GaAs器件的線性度差。本文提出了一種簡單的方法來改善GaN HEMT的線性度。所提出的方法是將器件分成與獨立控制的柵極偏置電壓并聯(lián)的多個子單元，然后對子單元輸出進行功率組合。

CMD273P3高隔離度低損耗寬帶DPDT轉(zhuǎn)換開關(guān)DC-12 GHz

2018-09-05 17:08:51

CMD273P3是一款低損耗寬帶正控制MMIC DPDT轉(zhuǎn)換開關(guān)，采用無引腳3x3 mm表面貼裝封裝。CMD273P3覆蓋直流至12 GHz，在6 GHz時具有1.7 dB的低插入損耗和42 dB的高隔離度。CMD273P3采用0 / + 5 V互補控制電壓邏輯線工作。

CMD272P3低損耗寬帶正控制MMIC DPDT轉(zhuǎn)換開關(guān)DC-10 GHz

2018-09-05 17:06:11

CMD272P3是一款低損耗寬帶正控制MMIC DPDT轉(zhuǎn)換開關(guān)，采用無引腳3x3 mm表面貼裝封裝。CMD272P3覆蓋直流至10 GHz，插入損耗低至1 dB，6 GHz時的高隔離度為43 dB。CMD272P3采用0 / + 5 V互補控制電壓邏輯線工作。

CMD215芯片形式通用寬帶射頻微波高隔離反射型MMIC SPDT開關(guān)DC-40 GHz

2018-09-05 17:03:57

CMD215是芯片形式的通用寬帶RF /微波高隔離反射型MMIC SPDT開關(guān)。CMD215的直流電壓為40 GHz，具有2.3 dB的低插入損耗和36 dB至20 GHz的高隔離度。

DC-18GHz寬帶L波段S波段C波段X波段Ku波段SP5T非反射開關(guān)CMD235C4

2018-09-05 17:01:31

CMD235C4是一款寬帶RF /微波MMIC SP5T開關(guān)，采用無引腳4x4 mm表面貼裝（SMT）封裝。CMD235C4覆蓋直流至18 GHz，在10 GHz時具有2.5 dB的低插入損耗和40 dB的高隔離度。該開關(guān)還包括一個板載二進制解碼器電路，它將所需的邏輯控制線數(shù)量從五個減少到三個。

CMD234C4寬帶RF微波非反光設(shè)計SP3T開關(guān)DC-18 GHz

2018-09-05 16:57:27

CMD234C4是一款寬帶RF /微波MMIC SP3T開關(guān)，采用無引腳4x4 mm表面貼裝（SMT）封裝。CMD234C4覆蓋直流至18 GHz，在10 GHz時具有2 dB的低插入損耗和40 dB的高隔離度。

DC-28 GHz寬帶射頻微波高隔離SPDT非反射開關(guān)CMD196

2018-09-05 16:53:46

CMD196是芯片形式的通用寬帶RF /微波高隔離非反射MMIC SPDT開關(guān)。CMD196的直流電壓為28 GHz，插入損耗低至1.75 dB，14 GHz時的高隔離度為46 dB。

CMD230寬帶射頻微波DC-26GHz低損耗寬帶性能SPDT開關(guān)芯片

2018-09-05 16:49:08

CMD230是芯片形式的通用寬帶RF /微波高隔離反射型MMIC SPDT開關(guān)。CMD230的直流電壓為26 GHz，插入損耗低至1.4 dB，13 GHz時的高隔離度為40 dB。

DC-20 GHz高隔離度L波段S波段C波段X波段Ku波段K波段SPST非反射開關(guān)

2018-09-05 16:46:29

CMD204C3是一款通用寬帶RF /微波高隔離度非反射型MMIC SPST開關(guān)，采用無引腳3x3 mm表面貼裝（SMT）封裝。CMD204C3的直流至20 GHz，插入損耗低至1.3 dB，10 GHz時的高隔離度為48 dB。

CMD204通用寬帶RF微波DC-20GHz正增益斜率SPST非反射開關(guān)芯片

2018-09-04 16:07:18

MD204芯片是通用寬帶RF /微波高隔離無反射MMIC SPST開關(guān)。CMD204的直流電壓為20 GHz，具有1.0 dB的低插入損耗和10 GHz時50 dB的高隔離度。該開關(guān)使用0 / -5 V的互補控制電壓邏輯線工作，無需偏置電源。

DC-20 GHz高隔離度SP4T非反射開關(guān)CMD203C4

2018-09-04 15:58:38

CMD203C4是一款寬帶RF /微波MMIC SP4T開關(guān)，采用無引腳4x4 mm表面貼裝（SMT）封裝。CMD203C4覆蓋直流至20 GHz，插入損耗低至2.4 dB，10 GHz時的高隔離度為39 dB。該開關(guān)還包括一個板載二進制解碼器電路，它將所需的邏輯控制線數(shù)量從4個減少到2個。

CMD203射頻微波DC-20GHz高隔離度SP4T非反射開關(guān)芯片

2018-09-04 15:51:24

CMD203是一款裸片式射頻/微波MMIC SP4T開關(guān)，采用裸片形式。CMD203的直流電至20 GHz，插入損耗低至2.4 dB，10 GHz時的隔離度高達39 dB。該開關(guān)還包括一個板載二進制解碼器電路，它將所需的邏輯控制線數(shù)量從4個減少到2個。

CMD196C3寬帶射頻微波DC-18 GHz低損耗寬帶性能SPDT非反射開關(guān)MMIC

2018-09-04 15:46:02

CMD196C3是一款通用寬帶RF /微波高隔離度非反射型MMIC SPDT開關(guān)，采用無引腳3x3 mm表面貼裝（SMT）封裝。CMD196C3的直流電壓為18 GHz，具有1.5 dB的低插入損耗和8 GHz時46 dB的高隔離度。

CMD195C3寬帶射頻微波DC-18 GHz高隔離度L至Ku波段SPDT非反射MMIC開關(guān)

2018-09-04 15:18:04

CMD195C3是一款寬帶RF /微波MMIC SPDT開關(guān)，采用無引腳3x3 mm表面貼裝（SMT）封裝。CMD195C3涵蓋直流至18 GHz（L至Ku頻段），具有2 dB的低插入損耗和37 dB的高隔離度以及正增益斜率。正增益斜率功能允許將多個開關(guān)級聯(lián)在一起，而無需增益均衡電路。

L波段至K波段DC-20GHz裸片式快速切換SPDT非反射開關(guān)MMIC芯片CMD195

2018-09-04 15:10:53

CMD195是一款裸片式非反射式GaAs射頻/微波MMIC SPDT開關(guān)，采用裸片形式。CMD195涵蓋直流至20 GHz，具有2 dB的低插入損耗和37 dB的高隔離度以及正增益斜率。正增益斜率功能允許將多個開關(guān)級聯(lián)在一起，而無需增益均衡電路。

L至Ku波段DC - 18GHz高隔離度SP6T非反射開關(guān)CMD236C4

2018-09-04 15:08:03

CMD236C4是一款寬帶MMIC SP6T開關(guān)，采用無引腳4x4 mm表面貼裝封裝。CMD236C4覆蓋直流至18 GHz，插入損耗低至2.5 dB，10 GHz時的高隔離度為42 dB。該開關(guān)還包括一個板載二進制解碼器電路，它將所需的邏輯控制線數(shù)量從五個減少到三個。

AMCOM寬帶放大器芯片的可靠性獲得美國Raytheon公司的贊譽

2018-09-04 11:34:05

美國AMCOM 公司的市場人員在例行拜訪Raytheon公司發(fā)現(xiàn)，他們在2003年選用的AMCOM的寬帶放大器芯片產(chǎn)品，用于雷達預(yù)警系統(tǒng)的項目，持續(xù)工作近15年時間，目前在全球眾多防務(wù)客戶中，均未反饋有故障發(fā)生。對此，Raytheon公司雷達項目工程師團隊給予AMCOM公司極高的品質(zhì)評價。

3-6 GHz低相位誤差S波段C波段5位數(shù)字移相器CMD174

2018-09-03 16:43:56

CMD174管芯是GaAs MMIC 5位移相器。CMD174工作頻率為3至6 GHz，提供0至360度的單調(diào)相位覆蓋，LSB為11.25度。該器件采用0或-3 V單比特負邏輯控制，插入損耗為7.6 dB，相位誤差為±2度。

13-17 GHz低相位誤差Ku波段4位數(shù)字移相器CMD176P4

2018-09-03 16:27:41

CMD176P4是一款GaAs MMIC 4位移相器，采用無引腳4x4 mm塑料表面貼裝（SMT）封裝。CMD176P4工作頻率范圍為13至17 GHz，提供0至360度的單調(diào)相位覆蓋，LSB為22.5度。RF /微波器件采用0或+3 V的單比特正邏輯控制，插入損耗為8 dB，相位誤差為±5度。

3-6GHz低相位誤差S波段C波段5位數(shù)字移相器CMD174P4

2018-09-03 16:14:39

CMD174P4是一款GaAs MMIC 5位移相器，采用無引腳4x4 mm塑料表面貼裝（SMT）封裝。CMD174P4工作頻率為3至6 GHz，提供0至360度的單調(diào)相位覆蓋，LSB為11.25度。移相器采用0或-3 V的單比特負邏輯控制，插入損耗為7.6 dB，相位誤差為±2度。

2-4 GHz低插入損耗S波段5位數(shù)字移相器360°相移CMD175P4

2018-09-03 16:07:21

CMD175P4是一款GaAs MMIC 5位移相器，采用無引腳4x4 mm塑料表面貼裝（SMT）封裝。CMD175P4工作頻率為2至4 GHz，提供0至360度的單調(diào)相位覆蓋，LSB為11.25度。該RF /微波器件采用0或-3 V的單比特負邏輯控制，插入損耗為7 dB，相位誤差為±5度。

W頻段以及110GHz毫米波測試級線纜組件解決方案

2018-09-03 15:07:52

隨著毫米波的商用產(chǎn)品不斷出現(xiàn)，如微波回傳和車載雷達等，與之匹配連接的柔性毫米波電纜組件的需求明顯。通常電纜的強度和插損難以兼顧，而市場受限于各相關(guān)部件性能挑戰(zhàn)和組裝的難度，比如介質(zhì)不良或?qū)Ь€折疊也會產(chǎn)生規(guī)律性的問題，而影響產(chǎn)品的電氣性能。

8-15 GHz寬帶X波段Ku波段無源倍頻器CMD227C3

2018-09-03 14:59:22

CMD227C3是一款寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器，采用陶瓷QFN封裝。當由+15 dBm信號驅(qū)動時，乘法器在23 GHz的輸出頻率下提供11 dB的轉(zhuǎn)換損耗。Fo和3Fo隔離度分別為38 dBc和49 dBc。

14-20GHz寬帶Ku波段K波段無源倍頻器芯片CMD256

2018-09-03 14:51:58

CMD256芯片是寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器。當由+15 dBm信號驅(qū)動時，乘法器在34 GHz的輸出頻率下提供15 dB的轉(zhuǎn)換損耗。Fo隔離度為38 dBc。CMD256采用50歐姆匹配設(shè)計，無需RF端口匹配。