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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39

0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器，由不平衡繞組和中心抽頭平衡繞組組成的平衡環(huán)，雙向傳遞功率，兩個方向匹配。North Hills巴倫斯精密工程低插入和回波損耗。優(yōu)越的平衡是通過內在對稱的結構來實現(xiàn)的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36

NH16447超高頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫提供了測量電路特性至1.2GHz的簡單和直接的方法。超高頻巴倫匹配任一方向的阻抗，并且為低插入和回波損耗進行了精密設計。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41

North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器，一般用途1千赫茲- 125兆赫，由不平衡繞組和中心抽頭平衡繞組組成的平衡環(huán)，雙向傳遞功率，兩個方向匹配。北山巴倫斯精密工程低插入和回波損耗。優(yōu)越的平衡是通過內在對稱的結構來實現(xiàn)的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R，HiFET是高壓、高功率、高線性和寬帶應用的部分匹配專利設備配置。該器件的總器件外圍為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R，HIFET是部分匹配的專利設備配置，用于高電壓、高功率和寬帶應用。該器件的總器件外圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲或直線的引線安裝方式。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R，該器件的總器件外圍為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲或直線的引線安裝方式。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26

X波段低噪聲放大器芯片是噪聲系數(shù)很低的放大器。一般用作各類無線電接收機的高頻或中頻前置放大器，以及高靈敏度電子探測設備的放大電路。在放大微弱信號的場合，放大器自身的噪聲對信號的干擾可能很嚴重，因此希望減小這種噪聲，以提高輸出的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R。HIFET是部分匹配的專利設備配置，用于高電壓、高功率和寬帶應用。該器件的總器件外圍為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6 GHz。它也是更大功率器件的理想驅動器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R，這一部分的總閘門寬度為30mm。AM300 MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直立的引線和凸緣的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R，這一部分的總閘門寬度為20mm。AM200 MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列是一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直線式引線和凸緣安裝式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R ，這一部分的總柵極寬度為15mm。AM150 MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列是一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直線式引線和凸緣安裝式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R，這一部分的總柵極寬度為10mm。AM100MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列是一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直線式引線和凸緣安裝式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R，這部分有一個全面的研究7.2mm門的寬度。在AM072MX-CU-R是自行設計的用于高功率微波應用，操作到6GHz。研究銅系列的照片，是在一個自行設計的陶瓷包裝與直導和Cu / W的蓋在一個下拉的安裝方式。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R，這一部分的總柵極寬度為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R ，這一部分的總柵極寬度為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。QG系列是一個塑料封裝，所有引腳彎曲的表面安裝風格的PC板。封裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R，這一部分的總柵極寬度為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。QG系列是一個塑料封裝，所有引腳彎曲的表面安裝風格的PC板。封裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R，這一部分的總柵極寬度為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。QG系列是一個塑料封裝，所有引腳彎曲的表面安裝風格的PC板。封裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R，其總柵極寬度為0.5mm。這是一個裸模，可以運行到18千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為33.4 dBm。它可用于低噪聲、高動態(tài)范圍的接收機和高功率發(fā)射機的驅動器。這部分是符合RoHS標準的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59

S波段C波段X波段Ku波段K波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K波段）GaN低噪聲放大器MMIC，。該寬帶器件非常適合要求低噪聲系數(shù)性能和高輸入功率生存能力的應用。CMD290提供12.5 dB的增益，相應的噪聲系數(shù)為2.3 dB，13 GHz時的輸出1 dB壓縮點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片，是一款高動態(tài)范圍GaAs MMIC低噪聲放大器，非常適用于軍事，空間和通信系統(tǒng)，其中小尺寸和高線性度是關鍵設計要求。該器件針對21 GHz進行了優(yōu)化，可提供超過24 dB的增益，相應的輸出1 dB壓縮點為+19 dBm，噪聲系數(shù)為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R，其總柵極寬度為2.5mm（兩個1.25mm的FET并聯(lián)）。這是一個裸模，可以運行到15千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R，其總柵極寬度為10mm（八個1.25mm的FET并聯(lián)）。這是一個裸模，可以運行到15千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R，其總柵極寬度為0.5mm。它在陶瓷封裝中運行可達12 GHz。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R，是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極寬度為1.25mm。它是在陶瓷BI封裝，運行高達10千兆赫。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R，是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極寬度為2.5mm。它在陶瓷封裝中運行可達8 GHz。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R，這個部分的總柵極寬度為10毫米。AM100WN-CU-R是專門為高功率微波應用設計的，工作頻率可達6GHz。CU系列是專門設計的陶瓷封裝，具有直引線和插裝式法蘭。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz，這個部分的總柵極寬度是5mm。AM050WN-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率可達6GHz。CU系列是專門設計的陶瓷封裝，具有直引線和落地式法蘭。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。