今天的半導體行業正在經歷猖獗的變化,主要是由于終端市場需求的變化和主要的整合。幾十年前,由主要在同一市場上扮演的個體RF公司組成的行業已經被一個新的市場所取代 - 一個裝飾著新市場以及硅谷公司與傳統芯片制造商的重大并購。
隨著技術的不斷發展,每天都會出現新的創新解決方案,所有人都在關注下一步的發展方向。對于MACOM和Verizon,下一個重要步驟是啟用和部署5G通信網絡。Verizon作為一家電信運營商,渴望為其客戶提供更快,更可靠的連接,而MACOM在利用其技術組合開發可使這些新的5G網絡成為可能的組件方面處于獨特的地位。
200G模塊提供了幾個關鍵優勢,其中主要是利用完全模擬架構的靈活性,我們在早期博客文章中評估的優點主要集中在高性能計算(HPC)應用的光學模塊上。雖然比基于主流數字信號處理器(DSP)的解決方案更難實現,但完全模擬光學互連可以提供比基于DSP的解決方案低1,000倍的延遲 - 這是以盡可能最快的速度實現系統和網絡性能的關鍵屬性。
MLP7130-0805-2/MLP7130?硅限幅器PIN二極管是具有2μm(標稱)I層厚度的封裝器件。它采用成熟的二極管制造工藝制造,具有高可靠性和均勻性。該器件具有極低的熱阻(<150oC/ W),可以可靠地處理高達33 dBm CW的大RF功率電平和高達47 dBm的RF峰值入射功率(1μs脈沖寬度,0.1%占空比)在TA =25oC時。嚴
MLP7120-2012/MLP7120限制器PIN二極管是低串聯電阻MLP7120-2012限制器PIN二極管是一種低串聯電阻,低電容限制器PIN二極管,采用表面貼裝,低寄生塑料封裝。它采用Cobham Metelics專有二極管工藝制造,具有出色的性能和高可靠性。
MLP7100/MLP7101/MLP7102/MLP7110系列限幅二極管是經過特殊處理的PIN二極管,具有薄的本征區域,設計用于100 MHz至20 GHz以上的無源或有源限幅器。不同的“I”區域厚度和電容提供可變的閾值和泄漏功率水平以及功率處理能力。
MA4L021-1056/MA4L021-120系列PIN限幅二極管設計用于無源限幅器控制電路,以保護敏感的接收器組件,如低噪聲放大器(LNA),探測器和覆蓋10 MHz至18 GHz頻率范圍的混頻器。
MA4L011-186/MA4L011-30/MA4L011-31/MA4L011-32系列PIN限幅二極管設計用于無源限幅器控制電路,以保護敏感的接收器組件,如低噪聲放大器(LNA),探測器和覆蓋10 MHz至18 GHz頻率范圍的混頻器。
MA4L011-134/MA4L011-137限幅二極管設計用于無源限幅器控制電路,以保護敏感的接收器組件,如低噪聲放大器(LNA),探測器和覆蓋10 MHz至18 GHz頻率范圍的混頻器。
MA4L011-1088系列PIN限幅二極管設計用于無源限幅器控制電路,以保護敏感的接收器組件,如低噪聲放大器(LNA),探測器和覆蓋10 MHz至18 GHz頻率范圍的混頻器。
MACOM的MA4L011-1056生產一系列具有中小I區長度的硅PIN限制二極管,專為高信號應用而設計。這些器件設計用于在零偏置時提供低插入損耗,以及具有快速信號響應/恢復時間的低漏電功率。
2492-04A-6終端連接器1.0毫米插孔標準塊,以下是在具有頂部地面發射功能的.008 “Rogers RO4003 微帶線板上的兩個1892-04A-5 端部發射連接器的67 GHz測試結果。
2492-04A-9終端發射連接器1.0毫米W波段110GHz窄塊 ,為微波層位于頂部的單層或多層印刷電路板提供低至6.5 GHz的寬VSWR響應。它們非常適用于高頻芯片組評估/演示板,測試夾具和電路板表征。
背對背測試顯示兩個連接器的數據。當通過40.0 GHz測試時,連接器內的任何內部不匹配將相位相同。取VSWR峰值的平方根將為單個連接器提供值。
1092-02A-6終端發射2.92mm(K)40 GHz插孔(母)標準塊,安裝步驟:將端部啟動連接器安裝在電路板上所需的位置。確保啟動銷位于跡線的中心。確保過渡塊緊靠板等。
PHA2731-190M是一款C類微波功率放大器模塊,專為需要高效率和飽和功率的S波段雷達脈沖功率應用而設計。該模塊包含兩個同相組合式共基極混合功率晶體管,輸入和輸出匹配50Ω,可實現無與倫比的PA設計。
MABC-001000-DPS00L是一款低功耗偏置控制器,可為被測器件(DUT)提供合適的柵極電壓和脈沖漏極電壓偏置。適用的DUT包括耗盡型GaN(氮化鎵)或GaAs(砷化鎵)功率放大器或HEMT器件。該模塊還提供偏置排序,因此除非存在負柵極偏置電壓,否則不能將脈沖漏極電壓施加到DUT。
MABC-001000-DP000L模塊為被測器件(DUT)提供適當的柵極電壓和脈沖漏極電壓偏置。該模塊還提供偏置排序,確保脈沖漏極電壓不能施加到被測器件,除非存在負柵極偏置電壓。偏置控制器模塊解決方案為所有MACOM高功率晶體管提供保護和動態控制,包括MACOM廣泛的GaN產品組合。
MRF275L?設計用于使用頻率為500 MHz的單端電路的寬帶商用和軍用應用。該器件的高功率,高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻段的固態發射器成為可能。
MRF177?專為高達400 MHz頻率范圍的寬帶商用和軍用應用而設計。主要用作推挽式配置中的驅動器或輸出放大器。可用于手動增益控制,ALC和調制電路。
MRF176GU?專為寬頻商用和軍用應用而設計,采用頻率為500 MHz的推挽電路。這些設備的高功率,高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻段的固態發射器成為可能。
MRF175LU?設計用于使用頻率為400 MHz的單端電路的寬帶商用和軍用應用。每個器件的高功率,高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻段的固態發射器成為可能。
MRF175GV?專為寬頻商用和軍用應用而設計,采用頻率為500 MHz的推挽電路。這些設備的高功率,高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻段的固態發射器成為可能。
MRF175GU?專為寬頻商用和軍用應用而設計,采用頻率為500 MHz的推挽電路。這些設備的高功率,高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻段的固態發射器成為可能。
MRF151G軍用高功率射頻功率晶體管,專為頻率為175 MHz的寬帶商用和軍用應用而設計。該器件的高功率,高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻段的固態發射器成為可能。
MRF137專為寬帶大信號輸出和高達400 MHz范圍的驅動級而設計。具有小信號和大信號表征、出色的熱穩定性,理想的A級操作套件、 便于手動增益控制,ALC和調制技術等特征。
DU1215S射頻功率晶體管,具有N通道增強模式設備、專為12伏應用而設計、噪聲系數低于雙極器件、高飽和輸出功率、降低寬帶運行的電容、DMOS結構等特征。
PH2729-110M雷達110W射頻功率晶體管,具有2.7-2.9 GHz,100μs脈沖,10%負載、符合RoHS標準、內部輸入和輸出阻抗匹配、擴散發射極鎮流電阻器等特征。
PH2226-50M航空雷達脈沖功率晶體管50W,具有2.2-2.6GHz,100μs脈沖,10%負載,符合RoHS標準、密封金屬/陶瓷封裝、內部輸入和輸出阻抗匹配、通用基本配置等特點。
PH2226-110M雷達110W脈沖功率晶體管,具有2.2-2.6GHz,100μs脈沖,10%負載、符合RoHS標準、擴散發射極鎮流電阻器、寬帶C類操作等特征。