欧美色综合天天久久综合精品,黄a大片,www黄色

UMS微波GaN功率晶體管

發布時間：2022-03-01 17:02:12 瀏覽：1149

氮化鎵具備優質的耐高溫性，因此氮化鎵制成的電力電子產品幾乎不需要制冷。晶體管主要是由硅制作而成，應用在高壓線路中計算和提高電子器件射頻信號。

GaN功率晶體管通常是L和S波段雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。GaN功率晶體管因為其低能量消耗和高功率密度，在電力電子領域的應用越來越普遍。它可應用在航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事領域的線路和系統中的各種應用領域。它們都使用寬帶隙GaN半導體材料的性能，在小封裝中形成了具備高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管。

UMS提供基于ASIC或目錄產品的全面報價，主要基于公司內部的III-V技術，并提供全面的合同服務，使客戶能夠直接創建自己的產品解決方案。UMS從DC到100 GHz的所有目錄產品都是基于GaAs、GaN、SiGe技術，包括高達200 W的功率放大器、混合信號功能、超低噪音放大器和完整的收發器系統。UMS產品以管芯的形式提供，但通常以多芯片模塊的形式封裝。

深圳市立維創展科技有限公司是UMS的代理商，專業為無線通信工程、航天基站、國防、汽車、ism等行業提供高可靠性射頻微波毫米波器件及集成電路。UMS產品采用QFN和模具包裝，交貨期短，價格優勢獨特。我們為一些型號提供高質量的UMS產品庫存。歡迎咨詢。

詳情了解UMS請點擊：http://www.liaoyuan999.com/brand/36.html

2 (10).png

Reference	Glin (dB) @ Freq (GHz)	Operating Frequency (GHz)	Saturated Power (W)	PAE (%) @ Freq (GHz)	Bias (mA)	Bias (V)	Case
Reference	Glin (dB) @ Freq (GHz)	Operating Frequency (GHz)	Saturated Power (W)	PAE (%) @ Freq (GHz)	Bias (mA)	Bias (V)	Case
CHKA011aSXA	23.5 @ 0.44	Up to 1.5	130	75 @ 0.44	640	50	Ceramic Metal Flange
CHK8013-99F	17 @ 6	Up to 10	14	70 @ 6	180	30	Die
CHK9014-99F	13 @ 12	Up to 13	60	50 @ 12	700	30	Die
CHK8015-99F	17 @ 9	Up to 18	20	68 @ 9	200	30	Die
CHKA012a99F	20 @ 3	Up to 4	140	76 @ 3	0.65	50	Die
CHK015AaQIA	18 @ 3	Up to 4	20	55 @ 3	800	50	QFN Plastic package
CHK8101a99F	14 @ 6	Up to 6	20	60 @ 6	0.1	50	Die
CHK9013-99F	18 @ 6	Up to 8	88	65@6	1100	30	Die

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: PULSAR微波帶狀線2路功率分配器/組合器

色婷婷999_99久33精品字幕_日韩一区二区三_欧美福利在线观看_中文成人在线_成人免费高清视频