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中國(guó)改革開(kāi)放以來(lái)，社會(huì)經(jīng)濟(jì)和科技水平發(fā)展迅速，我國(guó)已成為了世界第二大經(jīng)濟(jì)大國(guó)，與此同時(shí)也是最完整性的工業(yè)生產(chǎn)制造國(guó)家，但在我國(guó)仍有許許多多產(chǎn)品需要大批量國(guó)外進(jìn)口，在我國(guó)每年國(guó)外進(jìn)口的數(shù)量最多產(chǎn)品有哪些？

也許有很多人認(rèn)為它是石油，在我國(guó)是一個(gè)石油消費(fèi)的國(guó)家，國(guó)外進(jìn)口石油市場(chǎng)價(jià)值1.6萬(wàn)億元，但這不是數(shù)量最多，數(shù)量最多的是芯片！在2019年，國(guó)外進(jìn)口芯片是2.1萬(wàn)億元，是石油的1.3倍。實(shí)際上，2013年，在我國(guó)的芯片進(jìn)口量早已超出石油，成為了數(shù)量最多的進(jìn)口產(chǎn)品。

怎樣才能減少?lài)?guó)外進(jìn)口，掙脫困難重重的困境，是放在我們眼前的一項(xiàng)迫在眉睫目標(biāo)。

近期，芯片制造行業(yè)產(chǎn)生了重大效益，據(jù)了解，中國(guó)芯片行業(yè)龍頭紫光集團(tuán)在長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家內(nèi)存產(chǎn)業(yè)基地總投資240億美元，其二期新項(xiàng)目已在武漢東湖高新區(qū)啟動(dòng)，規(guī)劃每個(gè)月生產(chǎn)制造200000款內(nèi)存芯片產(chǎn)品，一期工程項(xiàng)目的月總生產(chǎn)效率將達(dá)到300000臺(tái)，這也代表著在我國(guó)將更進(jìn)一步減少對(duì)內(nèi)存芯片的依賴(lài)性。

芯片制造行業(yè)數(shù)量最多的兩種類(lèi)型是CPU處理器芯片和內(nèi)存芯片，這其中內(nèi)存芯片占1/3。現(xiàn)階段，三星、美光、東芝、SK和英特爾占領(lǐng)了98%的市場(chǎng)占有率，占領(lǐng)壟斷市場(chǎng)地位。以前，我們大部分依賴(lài)性國(guó)外進(jìn)口，中國(guó)生產(chǎn)量將近0。

據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)基地新項(xiàng)目將分兩個(gè)階段基本建設(shè)3DNAND閃存芯片廠，這其中第一期完成了32層和64層存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品的穩(wěn)定性大批量生產(chǎn)。不但如此，在64層3DNAND閃存生產(chǎn)制造7個(gè)月后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司還于今年4月宣布了新的研究和開(kāi)發(fā)進(jìn)展--繞過(guò)96層，成功開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)出單位面積存儲(chǔ)密度最高、I/O傳輸速率最大、單個(gè)NAND閃存芯片存儲(chǔ)容量最好的128層閃存。

在長(zhǎng)江儲(chǔ)存區(qū)大規(guī)模生產(chǎn)64層存儲(chǔ)芯片后，與國(guó)外的差異已縮減到2年。今年底，如果能大規(guī)模生產(chǎn)128層，那么與國(guó)外最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片的差異將更進(jìn)一步縮減。我們相信，在我國(guó)的存儲(chǔ)技術(shù)將快速與國(guó)外最先進(jìn)的技術(shù)高度一致。

如果我們能在年底前達(dá)到每個(gè)月生產(chǎn)制造100000臺(tái)平板電腦，市場(chǎng)占有率將達(dá)到5%左右，所有的市場(chǎng)占有率都將達(dá)到產(chǎn)后市場(chǎng)占有率的15%。在存儲(chǔ)制造行業(yè)，受其它市場(chǎng)影響的情況將大大減輕。

另一個(gè)好消息來(lái)源于合肥長(zhǎng)信，一家0到1.19nmDDR4內(nèi)存芯片制造廠商，預(yù)估到今年底，該公司每個(gè)月將生產(chǎn)制造4萬(wàn)芯片，市場(chǎng)占有率將達(dá)到3%。

盡管3%的內(nèi)存和5%的閃存的市場(chǎng)占有率看起來(lái)并不顯著，也難以與世界上幾家壟斷市場(chǎng)的大加工廠相比較，但這是中國(guó)0的一個(gè)突破。并且，這早已是世界第四大和第五大制造廠商。

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