重大突破,國產芯片布局將改變,未來將與華為攜手共創5G
發布時間:2020-05-28 13:58:45 瀏覽:2398
前幾天,北京大學公布了碳基芯片的最新技術成果,并刊登了《適用于高性能電子學的高密度半導體碳納米管平行列陣》的論文。
碳基芯片是款最新型技術工藝芯片,能夠 應用在產業基地上研發制造的相對密度更是高達120μm,其純凈度高達99.99%,直徑各是是1.45±0.23nm的碳納米管平行整列,碳基芯片建立完成了性能指標超過同等柵長的硅基CMOS技術工藝的晶體管和電源電路。并將該技術成果列入碳基半導體規?;I化奠定了基礎。
碳基芯片可適用于5G基站建設規劃,未來將與華為達成合作。
顯然,現階段晶圓生生產商的芯片生產都應用了硅基技術工藝,但通過摩爾定律的推算,集成電路芯片可容納的晶體管數量觸碰極限的實情已擺放在面前。而與硅同族的元素碳,則與硅有著相近的物理特性。與現階段主流的二維硅基芯片技術相比較,碳納米管技術工藝能夠 將芯片整體技能提升1000倍以上!
正因為這二十年來的苦心錘煉,才擁有現在來之不易的技術成果。據了解,2020年這項新技術成果,更加是在碳基半導體制取原材料上解決了純凈度、總面積和相對密度順排等長期性無法攻破的難點。而這項技術成果還可以直接與前端射頻器件生產商牽手合作。
2020-2025年是摩爾定律的“死亡期”。在我國將有希望把握住這一機遇,跨出一條全新的、甚至于更優質的半導體發展趨勢之路。也許等碳管逐漸批量生產之時,也就是國產芯片的出頭之日。
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EEPROM芯片通常不內置ADC,若某款內置1路14bit ADC,其精度主要受分辨率(理論精度高但實際受量化誤差等多種因素影響)、采樣率(采樣率越高理論上精度越高,但過高可能影響轉換時間,且采樣帶寬限制會影響精度)、使用通道數(單通道ADC精度主要取決于單個通道性能,無通道切換誤差)以及其他因素(如參考電壓穩定性、溫度影響,參考電壓波動和溫度變化都會影響精度)影響 。
HMC576 是 Analog Devices 推出的高性能射頻芯片,應用于通訊基站、機載雷達等多個領域。其核心優勢是寬頻帶覆蓋(2GHz 至 20GHz)、低噪聲系數(典型值 2.5dB)和高線性度,能提升系統性能。它還具備寬頻帶設計、低噪聲增強、高集成度、工業級可靠性等特性。目前現貨供應,提供技術方案支持、靈活采購選項和質量保障,典型應用于 5G 基站、相控陣雷達和測試儀器。