?CGH09120F高功率氮化鎵(GaN)晶體管
發布時間:2025-04-28 16:35:21 瀏覽:151
CGH09120F是一款由 Wolfspeed(原CREE科銳)公司生產的高電子遷移率晶體管(HEMT),采用氮化鎵(GaN)技術,具有高效率、高增益和寬帶能力,支持寬帶信號處理,尤其適合需要動態頻率調整的系統。
主要特性
頻率范圍:UHF 至 2.5 GHz。
功率輸出:120 瓦。
增益:21 分貝。
工作電壓:28 V。
封裝形式:陶瓷/金屬法蘭封裝。
效率:在 20 W PAVE 時效率為 35%。
應用優勢:支持高度數字預失真(DPD)校正。
技術對比與優勢
參數 | CGH09120F | 硅基LDMOS | 備注 |
頻率上限 | 2.5 GHz | 通常<1 GHz | GaN在高頻下效率更高 |
功率密度 | 4.3 W/mm2 | 約1 W/mm2 | 適合緊湊型設計 |
效率(PAVE) | 35% | 20%~25% | 顯著降低系統功耗 |
熱阻 | 1.2°C/W | 2.5°C/W | 更優的散熱能力 |
應用領域
無線通信基站
作為 LTE、WCDMA 或 MC-GSM 基站功率放大器的核心器件,提供高效率、高線性的射頻信號放大,降低基站能耗與運營成本。
適用于多載波聚合(CA)場景,通過 DPD 技術提升多載波信號的線性度。
雷達與電子戰系統
在雷達發射機中實現寬帶信號的高效放大,支持高分辨率成像與目標探測。
適用于電子戰中的干擾機,通過高功率、寬帶寬特性實現有效的信號壓制。
衛星通信與微波回傳
在 Ka 頻段或 Ku 頻段衛星通信終端中,作為功率放大器件,提供穩定的信號增益與輸出功率。
適用于微波回傳鏈路,支持長距離、高容量的數據傳輸。
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