?CMPA1D1E030 Ku波段功率放大器CREE
發布時間:2024-02-29 17:09:17 瀏覽:924
CREE的CMPA1D1E030D是款碳化硅單晶上根據氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC);CMPA1D1E030D選用0.25μm柵極尺寸工藝技術。與硅相比較,GaN-on-SiC具有更加優異的性能;砷化鎵或硅基氮化鎵;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。
特征
27 dB 小信號增益值
30 W 典型 PSAT
工作電壓高至 40 V
高擊穿場強
高溫度操控
應用領域
衛星通訊上行鏈路
產品規格
描述:30瓦;13.75 至 14.5 GHz;40V;GaN MMIC 功率放大器
最低頻率(MHz):13750
最高頻率(MHz):14500
最高值輸出功率(W):30
增益值(dB):26.0
效率(%):25
工作電壓(V):40
形式:MMIC 裸片
封裝類別:Die
技術:GaN-on-SiC
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