?CGHV96050F1衛星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE
發布時間:2024-01-18 16:53:30 瀏覽:756
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比,這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較,GaN具有更加優異的性能;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式,能夠實現最好電力設備和熱穩定性。
特征
7.9–8.4GHz工作
80WPOUT(典型值)
>13dB功率增益值
33%典型線性PAE
50Ω內部搭配
<0.1dB功率降低
應用領域
衛星通訊
地面寬帶
產品規格
描述:50瓦;7.9-9.6GHz;50Ω;輸入/輸出搭配GaNHEMT
最低頻率(MHz):7900
最高頻率(MHz):8400
最高值輸出功率(W):50
增益值(dB):13.0
效率(%):33
額定電壓(V):40
形式:封裝形式分立晶體管
封裝形式類別:法蘭盤
技術應用:GaN-on-SiC
推薦資訊
深圳市立維創展科技有限公司,是美國THUNDERLINE-Z & Fusite品牌在中國的授權渠道商,其金屬玻璃密封端子,已廣泛應用于航天、軍事、通信等高可靠性領域。
MASW-011098 是 MACOM 推出的高功率 Ka 波段 SPDT PIN 二極管開關,工作頻率 26 - 40GHz,低插入損耗、高隔離度,功率處理能力強,切換快,采用 5mm×5mm 20 引腳封裝,符合 RoHS 標準,適用于 5G 基建等,在航空航天、5G 通信、測試測量等領域應用廣泛。