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VTM48EF040T050B0R雙向電流倍增器是一種正弦幅度轉(zhuǎn)換器（SAC?)從26到55VDC主電源或2.2至4.6VDC輔助電源向負(fù)載供電。VTM48EF040T050B0R雙向正弦振幅轉(zhuǎn)換器，帶1個(gè)/12來(lái)隔離和轉(zhuǎn)換電壓。SAC提供的低交流阻抗超過(guò)了大多數(shù)下游調(diào)節(jié)器的帶寬。因此，它用于降壓轉(zhuǎn)換；通常，負(fù)載處的電容可以位于正弦幅度轉(zhuǎn)換器的源處，以實(shí)現(xiàn)電容器尺寸的減小。因?yàn)?/span>VTM48EF040T050B0R的k系數(shù)是1，/12，因此在源極位于原邊的應(yīng)用中，原邊的電容值可以降低144倍，從而節(jié)省電路板面積、材料和總系統(tǒng)成本。

VTM48EF040T050B0R采用VI芯片封裝，兼容標(biāo)準(zhǔn)取放和表貼組裝工藝。由于較大的熱接口面積和出色的導(dǎo)熱性，共模VI芯片封裝提供了增強(qiáng)的熱管理。與傳統(tǒng)方法相比，VTM48EF040T050B0R的高轉(zhuǎn)換效率提高了整個(gè)系統(tǒng)的效率，降低了運(yùn)行成本。

VTM48EF040T050B0R可以利用因數(shù)分解電源架構(gòu)，通過(guò)降低轉(zhuǎn)換和分配損耗以及促進(jìn)負(fù)載轉(zhuǎn)換的高密度點(diǎn)來(lái)提供效率和尺寸優(yōu)勢(shì)。

性能和優(yōu)勢(shì)

?48VDC至4VDC50A雙向電流倍增器

?能夠?yàn)檫B接上一次側(cè)或二次側(cè)的負(fù)載供電

?高效率（>94%）能降低系統(tǒng)功能損耗

?高密度（170A/in3）

?“全芯片”VIChip?封裝實(shí)現(xiàn)與系統(tǒng)板的表面貼裝、低阻抗互連

?包括針對(duì)下列情形的內(nèi)置保護(hù)裝置：

n過(guò)壓鎖定

n過(guò)電流保護(hù)

n短路保護(hù)

n溫度保護(hù)

?提供啟動(dòng)/禁用操控、內(nèi)部溫度檢測(cè)

?ZVS/ZCS諧振正弦波幅轉(zhuǎn)換器拓?fù)?/span>

?在典型應(yīng)用中，滿(mǎn)載時(shí)溫度升高低于50oC

VTM48EF040T050B0R電源模塊推薦用作空間緊湊產(chǎn)品，能夠提供大電流高功率但由于VTM48EF040T050B0R停售，市場(chǎng)只能選擇替換型號(hào)。

市場(chǎng)推薦的臺(tái)達(dá)旗下Cyntec的MPN541382-PV，Mblock功率模塊的產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)正負(fù)2的連接方式，提供高至1000w的負(fù)載功率，而封裝體積僅有2.8*17.3*7.7mm。

Cnytec成立于1991年，以技術(shù)創(chuàng)新為主、生產(chǎn)銷(xiāo)售高精度和高密度模塊、傳感器和應(yīng)用領(lǐng)域功能設(shè)計(jì)。產(chǎn)品主要包括集成電感、功率模塊和高精度電阻。廣泛用于移動(dòng)終端、通信基站、機(jī)械設(shè)備等。