?CGHV40180 L波段功率放大器CREE
發布時間:2023-12-29 17:14:35 瀏覽:762
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入,能夠在DC-2.0GHz范圍之內提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較,CGHV40180具有更加優異的性能;包括更高的擊穿場強;更高的飽和電子漂移速度與更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,CGHV40180還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV40180選用2導線金屬/陶瓷法蘭盤和藥丸式封裝,能夠實現最好電氣和熱穩定性。
特征
輸入不適配
180W(CW)最低功率
250W典型功率
24dB典型小信號增益值
28V和50V使用
應用領域
雷達探測
醫療保健
寬帶放大器
信息安全VHF-UHF
國防軍事通訊設備
產品規格
描述:180瓦;DC-2GHz;氮化鎵高電子遷移率晶體管
最低頻率(MHz):0
最高頻率(MHz):2000
最高值輸出功率(W):200
增益值(分貝):24.0
效率(%):70
額定電壓(V):27
類型:封裝分立晶體管
封裝類別:法蘭盤、丸狀
技術應用:GaN-on-SiC
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