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AMCOM的GaAs MMIC PAs系列產品，最近新出了EM 封裝，是替代之前的FM封裝的，預計未來一到兩年后全部替換成EM, FM依然可以繼續(xù)購買。 EM的性能更好，更有優(yōu)勢。

EM封裝的設計圖

注釋：

1、零件/材料清單：

1.1材料和/或制造過程的任何變更應以書面形式批準。

1.2所有裝運貨物的分析證明書應存檔不少于三年。應按要求提供證書復印件。

2、要求：

3、

2.1鎳板要求：

2.1.1鍍層厚度：100微英寸最小氨基磺酸鎳在區(qū)域-E的中心測量。

2.1.2鎳厚度數據應保存在文件中，并根據客戶要求提供信息。

2.2金板要求：

2.2.1鍍金應符合MIL-STD-4204，第1類，III型的分類要求；在金礦床中，鉈作為光亮劑或晶粒細化劑的使用是禁止的。

2.2.2金純度分析證書應由供應商提供，以備不少于超過三年。應要求客戶提供證書復印件。

2.2.3鍍層厚度：最小50英寸，最小測量區(qū)域E--。

3、檢驗/試驗：

3.1膠粘劑接頭：

3.1.1鍵合界面為90%無空隙。

3.2.2在聚合物到法蘭粘接接頭中的空隙或不連續(xù)性是可接受的，規(guī)定包裝通道具有泄漏一致性，MI-STD-883方法1014.10C。

3.2平坦度：

3.2.1區(qū)-E（交叉區(qū)域）為0.0010平。

3.3對齊：

3.3.1聚合物對法蘭的角向排列，最大3°。

3.4熱周期：

3.4.1鍍金應在空氣氣氛中進行320°C±5°C，持續(xù)5分鐘±30秒。經過熱處理包裝。

3.4.2引線拉力：引線在拉90°到環(huán)框平面時應承受最小0.66磅遠離基準面。

3.4.3可焊性：引線應按MIL-STD750，方法2026可焊（省略除資格以外的蒸汽老化）。

3.5隔離泄漏應在法蘭和引線之間的200 VDC處為1微安，并導致引線。

3.6引線框不能延伸到環(huán)框空腔邊緣。

DAMAGE

PLATING

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