久久久久久久久国产精品,亚洲三级免费,看av网站

?CGHV35150 S波段功率放大器CREE

發布時間：2023-10-16 16:55:53 瀏覽：682

Wolfspeed的CGHV35150是款特別設計的高效率氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；高增益和光纖寬帶性能；這也使得CGHV35150特別適合2.9–3.5GHzS波段雷達放大器應用。CGHV35150選用陶瓷/金屬法蘭和藥丸式封裝。

特征

額定容量=150W@TCASE=85°C

頻率范圍=2.9–3.5GHz

瞬態100ms–300ms@20%占空比

13.5dB功率增益值@TCASE=85°C

TCASE=85°C時典型漏級效率為50%

輸入適配

<0.3dB脈沖幅度降低

應用領域

S波段雷達放大器

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

詳情了解CREE射頻微波請點擊：http://www.liaoyuan999.com/brand/35.html

CREE (15).png

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CGHV35150P	GaN on SiC	2.9 GHz	3.5 GHz	150 W	13.5 dB	50%	50 V	Packaged Discrete Transistor	Pill
CGHV35150F-AMP	GaN on SiC	2.9 GHz	3.5 GHz	150 W	13.5 dB	50%		Evaluation Board	Flange
CGHV35150F	GaN on SiC	2.9 GHz	3.5 GHz	150 W	13.5 dB	50%	50 V	Packaged Discrete Transistor	Flange

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: ?CHA3080-98F中功率放大器UMS

色婷婷999_99久33精品字幕_日韩一区二区三_欧美福利在线观看_中文成人在线_成人免费高清视频