?GTVA12600雷達放大器CREE
發布時間:2023-06-08 16:49:38 瀏覽:930
CREE雷達放大器GTVA126001EC和GTVA126001FC是600瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于1200至1400MHz頻率段。GTVA12600具備輸入適配性能;高效化;和熱強化包。
特征
輸入適配
常見的單脈沖CW性能(AB類);1200MHz;50伏;300μs脈沖頻率;10%pwm占空比;輸出功率(P3dB)=600W;引流效率=65%;增益值=18dB
可以在單脈沖環境下以600W輸出功率承載10:1負載失諧(所有相位差):300μs脈沖頻率;10%pwm占空比;VDD=50V;IDQ=100mA
模特模型1C類(根據AnSI/ESDA/JEDECJS-001)
無鉛并符合RoHS標準規定
應用
雷達放大器
CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品,CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產品為特色。
深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,擁有CREE微波器件優勢供貨渠道,并長期庫存現貨,以備中國市場需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA126001FC-V1 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 600 W | 20 dB | 63% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
GTVA126001EC-V1 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 600 W | 20 dB | 63% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
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