?CG2H30070F L波段放大器CREE
發布時間:2023-03-10 16:33:00 瀏覽:1080
Wolfspeed的CG2H30070F是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具有輸入適配,能夠在0.5-3.0GHz范圍之內提供最理想的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較,GaN具有更優越的使用性能;CG2H30070F包括更好的擊穿場強;更好的飽和電子飄移速度和更好的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還提供了更好的功率密度和更寬的帶寬。CG2H30070F選用2導線金屬/陶瓷法蘭盤封裝,可以實現最理想的電氣和熱穩定性。
特征
0.5–3.0GHz應用電源電路
28V時標稱值為85WPOUT
10dB功率增益值
58%的排氣效率
內部適配
應用
寬帶放大器
通信對抗方案
電磁干擾
雷達探測
數據連接
CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品,CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產品為特色。
深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,擁有CREE微波器件優勢供貨渠道,并長期庫存現貨,以備中國市場需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CG2H30070F-AMP2 | GaN on SiC | 0.5 GHz | 3 GHz | 80 W | 15 dB | 55% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CG2H30070F | GaN on SiC | 0.5 GHz | 3 GHz | 80 W | 15 dB | 55% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Flange |
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