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?CG2H80120D C波段GaN HEMT 芯片CREE

發布時間：2022-11-16 16:53:01 瀏覽：650

Wolfspeed的CG2H80120D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備更優越的性能；CG2H80120D包含更高擊穿場強；更高飽和電子漂移速率；和更高熱導率。與Si和GaAs晶體管相比較，CG2H80120D具備更高功率密度和更寬的帶寬。

特征

120W經典PSAT

28伏操控

高擊穿場強

高溫度操控

高至8GHz的操控

高效率

應用

2路專用無線通信

寬帶放大器

蜂窩基礎設施建設

測試設備

ClassA;AB；主要用于OFDM的線性放大器；無線頻分多址；邊緣;CDMA波形

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

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Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CG2H80120D-GP4	GaN on SiC	DC	8 GHz	120 W	>12 dB	65%	28 V	Discrete Bare Die	Die

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