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C波段CGHV1J006D-GP4 GaN HEMT芯片CREE

發(fā)布時間：2022-07-20 16:36:43 瀏覽：720

CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)；采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術(shù)。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產(chǎn)品提供優(yōu)質(zhì)的高頻率、高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業(yè)在10MHz至18GHz的各種技術(shù)應(yīng)用。

特征

17dB典型。10GHz時的小信號增益值

60%典型值。10GHz時的PAE

6W典型Psat

40伏操控

高至18GHz的操控

應(yīng)用

衛(wèi)星通訊

PTP通訊連接

海域雷達(dá)

游艇雷達(dá)

海港船舶交通服務(wù)

寬帶放大器

高效率放大器

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創(chuàng)新產(chǎn)品，CREE科銳是一個完整的設(shè)計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的機(jī)器設(shè)備提供更強(qiáng)的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產(chǎn)品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產(chǎn)品為特色。

深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經(jīng)銷商，擁有CREE微波器件優(yōu)勢供貨渠道，并長期庫存現(xiàn)貨，以備中國市場需求。

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Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CGHV1J006D-GP4	GaN on SiC	DC	18 GHz	6 W	17 dB	60%	40 V	Discrete Bare Die	Die

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