CREE射頻功率 GaN HEMT
發(fā)布時間:2022-07-11 17:01:02 瀏覽:858
CREE射頻功率CGH40006是前所未有的;氮化鎵(GaN)高電子器件遷移率晶體管(HEMT)。CREE射頻功率CGH40006;從28V電壓軌運轉;提供通用型;主要用于各種各樣射頻和微波應用的寬帶網(wǎng)絡解決方案。CREE射頻功率GaNHEMT提供高效率;高增益和寬帶網(wǎng)絡寬功能;使CGH40006作為線性和壓縮功率放大電路的理想化選擇。CREE射頻功率GaNHEMT選用焊接藥Pill封裝形式和3-mmx3-mm;表面貼裝;雙扁平無導線封裝形式。
特征
高達6GHz的操控;
2.0GHz時13dB小信號增益值;
6.0GHz時11dB小信號增益值;
PIN=32dBm時典型值為8W;
28伏操控;
應用
2路個體調(diào)頻收音機;
寬帶放大器;
蜂窩基礎設施建設;
測試設備;
ClassA;AB;主要用于OFDM的功率放大器;W-CDMA;EDGE;CDMA波型;
深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經(jīng)銷商,CREE產(chǎn)品包含:發(fā)光二極管芯片,照明發(fā)光二極管,背光發(fā)光二極管,功率開關器件,無線電頻率設備和無線電設備的發(fā)光二極管。CREE憑借優(yōu)勢的供應渠道,長期備有庫存,以滿足中國市場的需求,歡迎咨詢。
詳情了解CREE射頻微波請點擊:http://www.liaoyuan999.com/brand/35.html
產(chǎn)品 | 最小 頻率 | 最大 頻率 | 峰值輸出功率 | 獲得 | 效率 | 工作電壓 | 形式 | 包裝類型 |
CGH40006S-AMP1 | DC | 6GHz | 6W | >11 dB | NA | 28 V | Evaluation Board | Surface Mount |
CGH40006P-AMP | 2GHz | 6GHz | 6W | >11 dB | NA | 28 V | Evaluation Board | Pill |
CGH40006S | DC | 6GHz | 6W | >11 dB | 65% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Plastic |
CGH40006P | DC | 6GHz | 6W | >11 dB | 65% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Pill |
上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強
下一篇: UMS微波倍頻器
推薦資訊
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,是美國THUNDERLINE-Z & Fusite品牌在中國的授權渠道商,其金屬玻璃密封端子,已廣泛應用于航天、軍事、通信等高可靠性領域。
Anritsu的4400、4500、4600系列步進衰減器為可編程設計,封裝小巧但性能強勁,支持高頻(最高40GHz)與寬衰減范圍,具備低損耗、高可重復性及長壽命(500萬次操作),適用于通信、測試測量、研發(fā)及電子戰(zhàn)等領域,實現(xiàn)信號精確控制與衰減調(diào)整。