CREE氮化鎵(GaN) HEMT CGHV1F006
發布時間:2022-06-14 16:42:55 瀏覽:1210
CREE的CGHV1F006是無可挑剔的;專為高效率制定的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和高寬帶性能。CGHV1F006可啟動為L;S;C;X 和Ku波段功率放大器使用。數據表規格根據C波段(5.5–6.5-GHz)功率放大器。其它使用電源電路可用作5.8GHz–7.2GHz的C波段和7.9–8.4GHz和8.5–9.6GHz的X波段。CGHV1F006在40V鐵路道岔上使用,封裝形式在3mmx4mm;表面貼裝; 雙扁平無導線(DFN)封裝形式。在減少額定功率下;CGHV1F006晶體管可在40V以下至20VVDD下作業;始終保持高增益和高效率。
特征
多達15GHz的操控;
8W經典輸出功率;
6.0GHz時17dB增益值;
9.0GHz時15dB增益值;
5.8–7.2GHz的使用電源電路;7.9–8.4GHz;和8.5–9.6GHz。
可使用高度APD和DPD校準;
應用
L; S; C; X 和 Ku 波段功率放大器;
深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,CREE產品包含:發光二極管芯片,照明發光二極管,背光發光二極管,功率開關器件,無線電頻率設備和無線電設備的發光二極管。CREE憑借優勢的供應渠道,長期備有庫存,以滿足中國市場的需求,歡迎咨詢。
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產品 SKU | 最小頻率 | 最大頻率 | 峰值輸出功率 | 獲得 | 效率 | 工作電壓 |
CGHV1F006S-AMP3 | 8.5GHz | 9.6GHz | 6W | >7 dB | NA | 40 V |
CGHV1F006S-AMP1 | 5.85 GHz | 7.2GHz | 6W | >7 dB | NA | 40 V |
CGHV1F006S | DC | 15GHz | 6W | >7 dB | 52% | 40 V |
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