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肖特基二極管（SBD）是由金屬材料合半導體材料相交結合產生的勢壘層，以勢壘層為基礎生產制造而成的二極管。肖特基二極管（SBD）具有正向電流導通壓降小，反向恢復時間較短和開關損耗小等優勢，是一種低能耗、高速率的半導體元器件，不足之處是抗壓能力相對比較低，逆向泄漏電流比較大。

肖特基二極管基于勢壘的高度比PN結勢壘的高度低，正向導通工作電壓和正向壓降也比PN結二極管低。肖特基二極管是一種大多數載流子的導電性元器件，不存在少部分載流子使用壽命和反向恢復等難題。肖特基二極管的反向恢復時長僅僅是肖特基勢壘電容器的充電、放電的時長，根本不同于PN結二極管反向恢復時長。由于反向恢復電荷少，肖特基二極管控制開關速率非常快，開關損耗也非常小，非常適用于高頻率應用領域。

肖特基二極管的構造及性能使其適用于在低電壓、大電流輸出等領域作為高頻率整流電源來使用，在高頻率下用作檢波和混頻，在高速邏輯電源電路中作為箝位電路。在芯片中也通常運用肖特基二極管，在高速計算機中也被多方面運用。除去普通PN結二極管的性能基本參數以外，肖特基二極管用作檢波和混頻的電氣設備基本參數還包含中頻特性阻抗，指的就是其增加額定值本振輸出功率時對特定中頻所展現的特性阻抗。關鍵應用在變頻器、開關電源、電源模塊、驅動電路等領域，作為整流二極管、維護二極管、續流二極管等運用，在微波通信等電源電路中作為整流二極管、小信號檢波二極管運用。

在產品型號選擇過程中，主要考慮到導通壓降、逆向飽和狀態泄漏電流、額定電壓、最大浪涌電流、最大逆向峰值工作電壓、最大直流逆向工作電壓、最高輸出功率、反向恢復時長、最大損耗輸出功率等為考慮的基本參數。

肖特基二極管與普通二極管差別是肖特基二極管的恢復時長比普通二極管恢復小，肖特基二極管的反向恢復時長大約為幾納秒，并且具有低能耗、大電流量和超高速等優勢。而普通二極管具有較高的控制開關速率、較高的抗壓能力、逆向漏電較小等優勢，適用工作電壓較高且工作頻率較高的領域。

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