JP503AS低剖面,高性能3dB混合耦合器原裝庫(kù)存
發(fā)布時(shí)間:2020-04-01 08:51:37 瀏覽:1767
JP503AS是一個(gè)低剖面,高性能的3dB混合耦合器在一個(gè)易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為W-CDMA和其他3G應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。JP503AS是為平衡放大器、可變移相器和衰減器、低噪聲放大器、信號(hào)分配而設(shè)計(jì)的,是無(wú)線工業(yè)日益增長(zhǎng)的小型印刷電路板和高性能需求的理想解決方案。零件經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的鑒定測(cè)試,并使用熱膨脹系數(shù)(CTE)與常見(jiàn)基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺)兼容的材料制造。采用6/6符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的浸錫處理。

JP503AS特征:
2.0–2.3千兆赫。
3G頻率
低損耗
高隔離度
90°正交
表面貼裝
磁帶和卷盤(pán)
無(wú)鉛
100%測(cè)試
JP503AS重要參數(shù)
頻率(GHZ):2.0 - 2.3
功率(W):25
回波損耗(dB):20.8
插入損耗(dB):0.30
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