1P603AS低剖面、高性能的3dB混合耦合器90°正交原裝庫存
發布時間:2020-03-31 10:03:58 瀏覽:2020
1P603AS是一種低剖面、高性能的3dB混合耦合器,采用易于使用、易于制造的表面安裝組件。它是為W-LAN和MMDS應用而設計的。1P603AS是為平衡放大器、可變移相器和衰減器、低噪聲放大器、信號分配而設計的,是無線工業日益增長的小型印刷電路板和高性能需求的理想解決方案。零件經過嚴格的鑒定測試,并使用熱膨脹系數(CTE)與常見基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺)兼容的材料制造。采用6/6符合RoHS標準的浸錫處理。

1P603AS特征:
2.3–2.7千兆赫。
W-LAN和MMD
低損耗
高隔離度
90°正交
表面貼裝
磁帶和卷盤
無鉛
100%測試
1P603AS重要參數
頻率(GHZ):2.3 - 2.7
功率(W):25
回波損耗(dB):20.8
插入損耗(dB):0.30
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