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ADRF5130BCPZ是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、單刀雙擲(SPDT)硅開(kāi)關(guān)，采用無(wú)引腳、表貼封裝。該開(kāi)關(guān)非常適合高功率和蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)基站。ADRF5130具有43 dBm（典型值）高功率處理能力、0.6 dB低插入損耗、68 dBm（典型值）輸入線性度三階交調(diào)截點(diǎn)和46 dBm下的0.1 dB壓縮點(diǎn)(P0.1dB)。片內(nèi)電路在5 V單正電源電壓下工作，典型偏置電流為1 mA，使其成為基于引腳二極管開(kāi)關(guān)的理想替代器件。

該器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝。

ADRF5130BCPZ應(yīng)用

• 蜂窩/4G基礎(chǔ)設(shè)施
• 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施
• 軍事和高可靠性應(yīng)用
• 測(cè)試設(shè)備

• 引腳二極管替代器件

ADRF5130BCPZ優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 反射式50 ?設(shè)計(jì)
• 低插入損耗：0.6 dB（典型值，2 GHz）
• 高隔離度：50 dB（典型值，2 GHz）
• 高功率處理
  • 連續(xù)平均功率：43 dBm
  • 峰值功率：46.5 dBm
• 高線性度
  • 0.1 dB壓縮(P0.1dB)：>46 dBm（典型值）
  • 輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)：68 dBm（典型值，2 GHz）
• ESD額定值
  • 人體模型(HBM)：2 kV，2級(jí)
  • 充電器件模型(CDM)：待定
• 單正電源
  • VDD：5 V
• 正控制，TTL兼容
  • VCTL： 0 V 或 5 V
• 24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝 (16 mm2)

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